Report über die Abscheidung von SiN-Filmen mit niedriger Wasserstoffkonzentration
50 Teilnehmer besuchten SENTECHs Seminar „Plasma-Prozesstechnologie“
Das Seminar vom 28. Februar 2013 thematisierte aktuellste Fragestellungen u.a. aus den Forschungsfeldern GaN-Ätzen, Nanostrukturierung von Silizium, SiN-Abscheidung bei sehr niedrigen Temperaturen, moderne Graphen-basierte Bauelementefertigung sowie Atomlagenabscheidung (ALD) besonders homogener Barriereschichten. Eines der Highlights war ein Report über die Abscheidung von SiN-Filmen mit niedriger Wasserstoffkonzentration bei 130°C mit idealen Eigenschaften für GaN-Transistormaterialien (HEMT). Als Referenten beteiligten sich Forschungspartner von SENTECH wie das Fraunhofer IAF, FBH Berlin, IHP Frankfurt/Oder, FSU IAP Jena, TU Ilmenau und TU Braunschweig.
Ein weiterer Höhepunkt war der Besuch in SENTECHs Fertigungsräumen und den Applikationslaboren für Plasma-Prozesstechnologie und Messtechnik. Die Veranstaltung erhielt sehr positives Feedback und wird 2014 zu aktuellsten Entwicklungen auf dem Gebiet der Plasma-Prozesstechnologie fortgesetzt.
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